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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 8.9
    Valor medio en las pruebas
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    33 left arrow 43
    En -30% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 11.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 8.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2422 left arrow 1988

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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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Memoria RAM
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Memoria RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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