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SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Comparez
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Note globale
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Note globale
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
40
Autour de -21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
40
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2205
1988
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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