SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

総合得点
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SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

総合得点
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Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 40
    周辺 -21% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 8.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 11.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2205 left arrow 1988
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