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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
9.4
15.0
写入速度,GB/s
5.5
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2549
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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