RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
34
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2636
2256
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link