RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около -42% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
9.7
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
2256
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link