RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3419
2256
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Сравнения RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link