Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB против Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 52
    Около -108% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.4 left arrow 10.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17500
    Около 1.1 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR5
  • Задержка в PassMark, нс
    52 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.2 left arrow 13.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.2 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17500 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Тайминги / частота
    no data left arrow no data / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2319 left arrow 3419
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения