RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
38
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2316
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link