Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Различия

  • Выше скорость записи
    8.1 left arrow 6.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 51
    Около -31% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.7 left arrow 9.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    51 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.8 left arrow 11.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 6.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2208 left arrow 1659
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения