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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
9.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
51
39
读取速度,GB/s
9.8
11.7
写入速度,GB/s
8.1
6.9
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1659
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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