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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
47
左右 -147% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
19
读取速度,GB/s
11.8
19.5
写入速度,GB/s
8.0
15.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3435
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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