RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
47
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3435
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R938G2130U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link