RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
65
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
65
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
1921
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link