RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2890
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link