RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2442
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link