RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2442
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link