RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3784
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link