RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3552
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link