RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Wynik ogólny
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    2 left arrow 14.5
    Średnia wartość w badaniach
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.0 left arrow 1,322.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 5300
    Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    71 left arrow 71
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,831.6 left arrow 14.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,322.6 left arrow 8.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    399 left arrow 1863

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Pamięć RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Pamięć RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Pamięć RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Pamięć RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Pamięć RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Pamięć RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Pamięć RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Pamięć RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Pamięć RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Pamięć RAM