RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
71
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1863
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link