RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1863
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM3X1G1333C9 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link