RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2494
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link