RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.2
6.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
13.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2078
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link