RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.2
6.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
39
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
11.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
6.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2078
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link