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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Diferenças
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.4
7.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
39
39
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
1770
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
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