RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
94
Около -262% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
26
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2382
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link