RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
94
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
1,592.0
1,165.4
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
94
65
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
3,580.8
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
1,592.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
5300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
572
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link