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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
65
94
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,592.0
1,165.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
94
65
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
3,580.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
1,592.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
5300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
572
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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