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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
5300
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
94
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
1,592.0
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
94
65
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
3,580.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
1,592.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
5300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
572
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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