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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
94
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
94
65
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
3,580.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
1,592.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
572
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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