RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
94
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
94
65
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
3,580.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
1,592.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
572
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link