A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Puntuación global
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
    En 1.21% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    65 left arrow 94
    En -45% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    1,592.0 left arrow 1,165.4
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    94 left arrow 65
  • Velocidad de lectura, GB/s
    1,882.0 left arrow 3,580.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,165.4 left arrow 1,592.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    305 left arrow 572
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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