RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
94
Autour de -262% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
26
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2382
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link