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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 6.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 51
    周辺 -31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 9.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 11.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 1659

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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Kingston 9905598-028.A00G 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
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