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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
総合得点
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
9.8
9.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
4.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21% 高帯域
考慮すべき理由
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
51
周辺 -96% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
26
読み出し速度、GB/s
9.8
9.5
書き込み速度、GB/秒
8.1
4.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
10600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2208
1725
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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