Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB

Puntuación global
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Puntuación global
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TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.8 left arrow 9.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 4.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 51
    En -96% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    51 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.8 left arrow 9.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 4.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2208 left arrow 1725
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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