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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.8
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
4.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
9.8
9.5
写入速度,GB/s
8.1
4.5
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1725
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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