Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB

总分
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

总分
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TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    9.8 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.1 left arrow 4.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 51
    左右 -96% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    51 left arrow 26
  • 读取速度,GB/s
    9.8 left arrow 9.5
  • 写入速度,GB/s
    8.1 left arrow 4.5
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2208 left arrow 1725
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