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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
53
读取速度,GB/s
14.7
15.6
写入速度,GB/s
9.2
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2755
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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