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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
比较
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
总分
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
12.8
17.5
写入速度,GB/s
9.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2099
3083
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM的比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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