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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
17.0
写入速度,GB/s
2,123.3
12.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3282
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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