RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
59
Por volta de -90% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3282
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link