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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
1,761.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
59
Por volta de -5% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
59
56
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
4,003.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
1,761.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
605
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641152 4GB
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