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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
比較する
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,123.3
1,761.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
6400
5300
周辺 1.21% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
56
59
周辺 -5% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
56
読み出し速度、GB/s
4,833.8
4,003.0
書き込み速度、GB/秒
2,123.3
1,761.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
5300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
731
605
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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