Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

総合得点

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

総合得点

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

67 68

周辺 1% 低遅延

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

1,702.6 1,122.9

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

67 68
読み出し速度、GB/s

2,058.7 3,886.6
書き込み速度、GB/秒

1,122.9 1,702.6
メモリ帯域幅、mbps

5300 5300

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

317 654

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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