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Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Comparez
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
67
68
Autour de 1% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
1,702.6
1,122.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
67
68
Vitesse de lecture, GB/s
2,058.7
3,886.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,122.9
1,702.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
5300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
317
654
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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