Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

总分
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Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

总分
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    67 left arrow 68
    左右 1% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    1,702.6 left arrow 1,122.9
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    67 left arrow 68
  • 读取速度,GB/s
    2,058.7 left arrow 3,886.6
  • 写入速度,GB/s
    1,122.9 left arrow 1,702.6
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    317 left arrow 654
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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