RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Comparar
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
67
68
Por volta de 1% menor latência
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
1,702.6
1,122.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
67
68
Velocidade de leitura, GB/s
2,058.7
3,886.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,122.9
1,702.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
5300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
317
654
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB Comparações de RAM
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link