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Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Confronto
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
67
68
Intorno 1% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,702.6
1,122.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
67
68
Velocità di lettura, GB/s
2,058.7
3,886.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,122.9
1,702.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
5300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
317
654
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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