RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
INTENSO M418039 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs INTENSO M418039 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

総合得点
star star star star star
INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 7.4
    テスト平均値
INTENSO M418039 8GB 考慮すべき理由
INTENSO M418039 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 38
    周辺 -90% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 15.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
INTENSO M418039 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    15.6 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.8 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2566 left arrow 2414

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB RAMの比較

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

INTENSO M418039 8GB RAMの比較

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
INTENSO M418039 8GB
INTENSO M418039 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB
Elpida EBE10UE8ACWA-8G-E 1GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
メモリRAM