RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
59
En -90% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3282
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link