RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs AMD R948G2806U2S 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
AMD R948G2806U2S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
AMD R948G2806U2S 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2802
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link