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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs AMD R948G2806U2S 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
AMD R948G2806U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
29
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
25
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2802
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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